單晶銀是什么？

　　單晶銀是什么？

　　相對普通的多晶體資料性能特別，一般選用提拉法制備。單晶資料依據晶體成長法制作分為

　　借由柴克勞司基法(Czochralski)又叫晶體成長法將復晶晶體提煉成對稱的、有規則的、成幾許型的單晶格結構。

　　浮區法(Floating zone)可將低純度硅晶體提煉成對稱的、有規則的、成幾許型的單晶晶格結構。

　　單晶是由結構基元在三維空間內，呈周期擺放而成的固態物質。如水晶，金剛石，寶石等。單向有序擺放決定了它具有以下特征:均勻性、各向異性、自限性、對稱性、最小內能和最大穩定性。跟著出產和科學技術的發展?天然單晶已經不能滿足人們的需求，各種工業都提出了對單晶資料的很多需求，如:鐘表業提出了對紅寶石的很多需求、機械加工業提出了對金剛石的需求等等。所以單晶資料的前史就進入了人工制備的階段。

　　折疊熔體法成長晶體

　　此法為最常用辦法，是從結晶物質的熔體中成長晶體。適用于光學半導體，激光技術上需求的單晶資料。

　　(一)晶體成長的必要條件。

　　依據晶體成長時系統中存在的--由熔體(m)向晶體(C)自發轉變時--兩相間自由焓的聯系:Gm(T)>Gc(T)，即△G=Gc(T)-Gm(T)≈△He-Te△Se-△T△Se=△T△Se<0。結晶時， △Se>0，只有△T<0 。熔體單晶體成長的必要條件是:系統溫度低于平衡溫度。系統溫度低于平衡溫度的狀況稱為過冷?！鱐的絕對值稱為過冷度。過冷度作為熔體晶體成長的驅動力。一般情況:該值越大，晶體成長越快。當值為零時，晶體成長停止。

　　(二)晶體成長的充分條件

　　晶體成長是發生在固-液(或晶-液)界面上。一般為保證晶體粒成長只需使固-液界面鄰近很小區域熔體處于過冷態，絕大部分熔體處于過熱態(溫度高于Te )。已成長出的晶體溫度又需低于Te。就是說整個系統由熔體到晶體的溫度由過熱向過冷改變。過熱與過冷區的界面為等溫區。此面與晶體成長界面間的熔體為過冷熔體。且過冷度沿晶體成長反方向逐步增大。晶體的溫度最低。這種由晶體到熔體方向存在的溫度梯度是熱量輸運的必要條件。熱量由熔體經成長面傳向晶體，并由其轉出。

　　晶體成長的充分條件:(dT/dz)c必定、(dT/dz)m為零時，整個區域熔體處于過冷態，晶體成長速率最大。關于必定結晶物質，過冷度必定時，決定晶體成長速率的主要因素是晶體與熔體溫度梯度(dT/dz)c與(dT/dz)m的相對大小。只有晶體溫度梯度增大，熔體溫度梯度削減，才能提高晶體成長速度。需指出:晶體成長速度并非越大越好，太大會呈現不完全成長，影響質量。

　　(三)晶體成長辦法

　　1 提拉法:提拉法適于半導體單晶Si、Ge及大多數激光晶體。

　　工藝流程:

　　1)同成分的結晶物質熔化，但不分解，不與周圍反應。

　　2)預熱籽晶，旋轉著下降后，與熔體液面觸摸，待熔后，緩慢向上提拉。

　　3)下降坩堝溫度或熔體溫度梯度，不斷提拉籽晶，使其籽晶變大。

　　4)等徑成長:堅持合適的溫度梯度與提拉速度，使晶體等徑成長。

　　5)收晶:晶體成長所需長度后，拉速不變，升高熔體溫度或熔體溫度不變，加速拉速，使晶體脫離熔體液面。

　　6)退火處理晶體。

　　2 坩堝下降法:

　　在下降坩堝的進程，能精細測溫，控溫的設備中進行。過熱處理的熔體降到稍高于凝固溫度后，下降至低溫區，完結單晶成長，并能繼續堅持。

　　3 泡生法:

　　過熱熔體降溫至稍高于熔點，下降爐溫或冷卻籽晶桿，使籽晶周圍熔體過冷，成長晶體。操控好溫度，就能堅持晶體不斷成長。

　　4 水平區熔法:

　　盛有結晶物質的坩堝，在帶有溫度梯度的加熱器，從高溫區向低溫區移動，完結熔化到結晶進程。

　　以上四種晶體成長運用的坩堝，應具備:熔點高于工作溫度200℃，不與熔體互熔起化學反應，良好的加工性及抗熱震性，熱膨脹系數與結晶物質相近，常用鉑、銥、鋼、石墨、石英及其它高熔點氧化物。